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三星发布新企业级低功耗内存 功耗仅为4.5W

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该内存模组支持Registered模式,默认工作频率为DDR3 1333,采用30nm工艺进行制造。与英特尔的3D晶体管技术不同,三星的3D TSV技术只是将多层芯片进行堆叠,从而达到提高每颗粒内存容量和减少干扰及损耗的目的。

来源:ZDNet China【原创】 2011年8月19日

关键字: 三星 内存 “低功耗”

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ZDNet至顶网服务器频道 8月19日 综合消息(文/Uma):内存作为半导体行业的风向标,一直是各种新制造技术的试验田。而今天,半导体行业老大哥三星则发布了一款面向企业级应用的32GB DDR3内存模组,而由于采用了3D TSV(直通硅晶体穿孔)技术和30nm制造工艺,这款容量高达32GB的内存模组功耗仅为4.5W。

该内存模组支持Registered模式,默认工作频率为DDR3 1333,采用30nm工艺进行制造。由于其采用了众多先进工艺和技术进行制造,因此即便是加入了Registered模式,其功耗仍然要比普通Unbuffer内存模组低30%;而三星宣称,这款内存是目前企业级内存中功耗最低的。

与英特尔的3D晶体管技术不同,三星的3D TSV技术只是将多层芯片进行堆叠,从而达到提高每颗粒内存容量和减少干扰及损耗的目的。目前,运用这一技术的内存颗粒已经进入试产阶段,如果一切顺利,不久后即将开始大规模生产。看来很多服务器的最高内存容量又将翻番了。

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