IBM百年产品技术——打破半导体硅芯片的速度纪录

2006年6月20日，IBM与佐治亚理工学院(Georgia Tech）正式宣布他们已经打破半导体硅芯片的速度纪录。两家机构的研究人员把这种硅锗芯片冷却至零下268摄氏度，此时芯片速度达到500GHz，而在室温下，该芯片速度也能稳定在350GHz。

半导体硅芯片实验

这次试验是IBM和佐治亚理工学院探寻硅锗芯片终极速度项目的一部分。这种硅锗芯片的运算速度是个人电脑的100倍，比手机芯片快250倍。科学家们认为，硅锗芯片的理论终极速度有望达到1THz，即每秒钟可执行1万亿个循环操作。

作为世界上第一个生产硅锗芯片的厂商，IBM自1998年已经销售了上亿个普通硅锗芯片。目前高性能的硅锗芯片只应用于导弹防御系统、宇宙飞行器以及遥感测量等特殊领域。IBM公司希望此项技术能够在数年内被用于个人超级电脑和高速无线网络的开发。