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Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜

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Intel今天如约宣布了所谓的“年度最重要技术”——世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”。3-D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。同等电压下，三维晶体管电流更低，而且电压越低越明显，从而降低漏电率　

来源：驱动之家 2011年5月5日

关键字： Intel Ivy Bridge 晶体管

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在本页阅读全文(共4页)

　　

极限电压也得到了降低

　　

32nm平面晶体管运行电压与晶体管栅极延迟关系图

22nm平面晶体管关系图　　

　　

22nm三维晶体管关系图：可加快18-37％，而且电压越低越明显

同等延迟下电压可降低0.2V　

　　

3D Tri-Gate三维晶体管的好处

 22nm工艺将率先享受三维晶体管

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