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Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜

Intel今天如约宣布了所谓的“年度最重要技术”——世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”。3-D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。同等电压下，三维晶体管电流更低，而且电压越低越明显，从而降低漏电率　

来源：驱动之家 2011年5月5日

Bulk晶体管　　

厚膜部分耗尽SOI (PDSOI)

薄膜全耗尽SOI (FDSOI)

薄膜全耗尽三维晶体管

可以多个鳍片连接在一起，提高整体应变强度，进而提高性能

传统平面晶体管栅极电压与通道电流关系图

同等电压下，三维晶体管电流更低，而且电压越低越明显，从而降低漏电率

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