英特尔3-D三栅极晶体管技术获选“中国年度电子成就奖”

(2012年2月24号，深圳)在今天召开的第十七届国际集成电路研讨会暨展览会（IIC-China 2012）上，英特尔3-D三栅极晶体管技术获选由环球资源颁发的“中国年度电子成就奖”，被评为“2012年最具潜力新技术”。

作为电子和半导体业界备受瞩目的奖项之一，由环球资源颁发的“电子成就奖”旨在表彰促进电子设计产业发展的技术、产品、公司、团队和个人，其中的“最具潜力新技术”则主要评选在过去18个月内推出的设计卓越、对市场产生重要影响并发挥行业领军作用的新技术。2011年5月，英特尔公司宣布世界首款3-D三栅极晶体管进入生产技术阶段，其独一无二的3-D结构实现了前所未有的性能提升和能耗节省，将让产品设计师能够灵活地将现有设备创新得更智能，并且有可能开发出全新的产品。

3-D三栅极晶体管技术代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变，是晶体管发展史上的一次革命性突破。与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米3-D三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%；并且只需消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中2-D平面晶体管一样的性能*。这一改进将为各种计算设备（从服务器到台式机，从笔记本电脑到手持式设备）带来前所未有的高性能和能效，满足各种细分市场对能耗、成本和设计尺寸的整体需求。

晶体管是微处理器的基本部件。基于英特尔架构的微处理器已在计算机、消费电子产品、汽车、航空、家用电器、医疗设备等多个领域得到了应用。英特尔一直遵循由联合创始人戈登•摩尔提出的摩尔定律，为每个芯片添加更多功能和计算内核，从而提高性能，并降低单个晶体管的制造成本。在3-D三栅极晶体管技术公布之前，英特尔曾于2003年推出应变硅技术、2007年推出和高-k金属栅极技术，一次次开启摩尔定律的新时代。

截止目前，英特尔3-D三栅极晶体管技术在中国已经获得了包括《电脑时空》、《IT时代周刊》、《微电脑世界》、《微型计算机》等多家主流媒体的创新大奖。此前，该技术还入选了美国《时代周刊》“2011年度50大最佳发明”、《华尔街日报》“年度科技创新奖”等奖项。