马宏升：22nm晶体管精进如厮

ZDNet至顶网服务器频道 4月11日 北京现场报道（文/孟庆）：在4月11日英特尔IDF2012的第一天主题演讲上，英特尔中国区董事长马宏升先生以一句普通的“大家好”开场。赢得满场掌声的不是他的这句“蹩脚”中文，而是他自去年以来克服自身中风病情，一步步好转，直到能登台演讲。正是这种百折不挠的精神感动了大家，相信这也是英特尔一直以来得以不断精进的精神。

22nm新工艺是另一突破

马宏升简要介绍了英特尔之前取得的成就，他表示摩尔定律是现代半导体工艺前进的主要规律。英特尔为了延续摩尔定律创造了很多技术，其中身为人知的当属2007年底公布的Hi-K高阶金属栅极工艺，一举将45nm半导体工艺变成了当时的能效比之王。而另一项成就，马宏升认为当属22nm工艺制程中引入的3D晶体管技术。

据介绍，立体的3D晶体管架构使得英特尔得以将22nm工艺得以获得更高的性能提升和更低的漏电率。马宏升表示，英特尔甚至可以说是“重新发明了晶体管”。

3D晶体管架构使用了一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的，晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。

这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流，同时在晶体管关闭状态(节能)将电流降至几乎为零，而且能在两种状态之间极速切换(还是为了高性能)。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度，从而获得更高的性能和效率。

据了解，22nm 3D晶体管相比于32nm平面晶体管可带来最多37％的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。马宏升表示，英特尔凌动平台将在今年切换至32nm，而在2013年全面使用22nm工艺制造。

值得一提的是，马宏升在演讲全程中均是一字一句的娓娓道来，可以明显看出恢复的不错，但是还不复其健康的时候。对于这样一位被病魔折磨，却又重新“站起来”的人，笔者个人表示尊敬，了不起。