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Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜

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Intel今天如约宣布了所谓的“年度最重要技术”——世界上第一个3-D三维晶体管“Tri-Gate”。3-D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。同等电压下，三维晶体管电流更低，而且电压越低越明显，从而降低漏电率　

来源：驱动之家 2011年5月5日

关键字： Intel Ivy Bridge 晶体管

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Intel半导体工艺和晶体管创新近代史

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摩尔定律的进步之晶体管漏电率、运行功耗

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摩尔定律的进步之单晶体管成本

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22nm 3-D Tri-Gate三维晶体管结构简图

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栅极(Gates)和鳍片(Fins)

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32nm平面与22nm立体对比

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