闪存工艺再升级 镁光宣布样产16nm NAND芯片

最近闪存工艺方面又有了一次飞跃，在20nm工艺NAND推出之后，最近镁光宣布已经样产16nm工艺MLC闪存芯片，该芯片将有望进一步压缩存储设备成本。

由于采用了16nm制造工艺，闪存颗粒尺寸更小，镁光实现了让单个晶圆的存储容量达到6TB，这样有效的降低了成本。

同时凭借NAND闪存尺寸的优势，在同等条件下，SSD固态硬盘等设备能够容纳更大容量的闪存颗粒，也实现了存储设备容量上的一次小幅度飞跃。

另外，镁光还表示16nm NAND颗粒不光是闪存颗粒中最先进的工艺，在目前所有的半导体制造领域都是最先进的工艺。

预计镁光新品将在今年第四季度量产，相关产品会在2014年上市。16nm颗粒可以涵盖包括闪存盘、存储卡、消费级固态硬盘、手机和智能终端等所有领域。