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Penryn首用45nm制造工艺 性能提高20~45%

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英特尔承诺,在今年下半年发布的Penryn处理器将能够提供20~45%的性能提升。

作者:袁斌 2007年3月30日

关键字: 英特尔 Penryn 45nm

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英特尔承诺,在今年下半年发布的Penryn处理器将能够提供20~45%的性能提升。3月29日上午,英特尔公司副总裁、台式机平台运营总监Stephen L.Smith表示,Penryn将是英特尔第一个采用45nm制造工艺的处理器,采用了增强型的酷睿微体系架构,预计在今年第四季度发布。Penryn处理器还采用了SSE 4指令集,并提供了增强的英特尔虚拟化技术。

Smith表示,由于采用了45nm的高k与金属栅极制造工艺,Penryn处理器的晶体管数量可以比当前的处理器提高近2倍,使硅片尺寸可以更经济,处理器核心尺寸可以减小25%。同时,由于采用了金属栅极制造工艺和高K技术,Penryn处理器的晶体管切换速度提高了20%以上,并且提高了IPC(每时钟执行指令数),减小了漏电流,从而降低了功耗。

据介绍,英特尔Penryn家族包括六款产品,包括双核和四核台式机处理器、双核移动处理器(均采用英特尔酷睿处理器品牌名称),以及全新双核和四核服务器处理器(采用英特尔至强处理器品牌名称)。其中,双核处理器的高速缓存最高可达6MB,而四核可达12MB。Penryn处理器采用了与目前的处理器相同的插槽,只需要更改BIOS即可实现系统升级。

英特尔在开发过程中的不同阶段研发了逾15款45纳米高-K产品设计,并将于今年年底在两个45纳米制造工厂投入生产,计划于2008年下半年在四个工厂批量生产。此外,英特尔还宣布,在2008年,英特尔将推出新的处理器架构Nehalem。

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