Haswell内部大爆料：四级缓存是浮云

研发进度与上市时间：

各大主板厂商在去年就已经拿到了新桌面平台Shark Bay的设计指导，按照日程安排应该在2012年3月份开始四核心Haswell ES0阶段工程样品的上机验证，但因为各种原因未能顺利完成，也导致很多厂商都忙得焦头烂额。

这份日程表还显示，新平台预计在今年6月、9月左右分别完成ES1、ES2两个工程样品阶段，11月转入代表基本完工的QS(Quality Sample)，最终在2013年3月左右搞定零售版。 

而根据之前就曝光的路线图，Haswell预定于2013年3-6月期间发布，与内部研发进程相符合，但是从目前的进展情况看，特别是考虑到Ivy Bridge今年的上市情况，Haswell跳票的可能性非常大。 

工艺和功耗：

自嘲为最“苦逼”的地方。Intel这几年来主流桌面处理器的热设计功耗最高都是95W，Ivy Bridge时期给出的散热方案也是按照这个执行的(乌龙包装盒或许就是这么来的)，但是我们都知道，Ivy Bridge的热设计功耗降低到了77W，而继续使用22nm工艺的Haswell又不容乐观，将会回到95W级别，而且因为整合图形核心方面的问题，极有可能增加到105W左右。如此翻来覆去，厂商们自然要抓狂了。

bigpao007也简单地总结说：“架构超强，但是制程限制了架构。”看来22nm虽然带来了革命性的3D晶体管，对于处理器设计的影响也非常深。

Turbo Boost动态超频：

Ivy Bridge使用的是第二代Turbo Boost 2.0，Haswell也依然是，没有升级到Turbo Boost 3.0，只是桌面版确实会提供额外的倍频。

目前的ES0样品在单核心Turbo Boost的时候有五个倍频，正式版估计提供八个没问题。

四级缓存：

这个之前曾有多个消息渠道描述得有模有样，但很可惜只是个谣言，Haswell并不会配备第四级缓存。向来可能是塞入eDRAM的难度太大，会导致核心面积增加，而且实际作用并不会太明显。

内存：

据说双通道DDR4会成为Intel的杀手锏，但很可惜Haswell上不会出现，可能还是双通道DDR3。虽然三星等非常着急，不过Intel似乎并不急于上马DDR4，可能要到企业级产品Haswell-EX上才会支持，桌面版大概要等到Haswell之后的14nm Broadwell。

SATA 6Gbps/USB 3.0接口数量：

之前日本PCWatch曾经预计，Lynx Point芯片组的SATA 6Gbps接口数量会从两个增加到四个，但是看看Intel的官方规格表吧：六个SATA全部都是原生的SATA 6Gbps了！ 

USB 3.0如约从四个增加到六个，不过USB接口总量仍然是十四个，所以USB 2.0相应减少为八个。

PCI-E仍然是八条PCI-E 2.0，带宽5GT/s，没有升级到PCI-E 3.0，毕竟外围设备需要的带宽并不是特别高。

VGA输出会在部分型号上砍掉，同时数字显示部分转移到处理器内部，芯片组将越发简单了。

性能：

ES0是最早期的工程样品，目前各家的主板都不稳定，没办法跑出大家期待的分数，所以只能等待后续更新了。

和之前最早曝出的Ivy Bridge一样，目前的Haswell样品没有显示核心，所以暂时不清楚图形性能，但其实这方面也没什么好期待的，仍然是按照Sandy Bridge、Ivy Bridge的架构设计，只是机修堆执行单元的数量而已。

不过，多屏功能确实更强大了，只是详情未知。Ivy Bridge已经支持独立三屏，Haswell要做到四屏么？ 

最后看一张截图：一个双核心四线程的Haswell样品，默认主频2.0GHz，可以动态加速到2.47GHz，三级缓存是非常奇怪的4MB——现在Core i7/i5/i3分别是8/6/3MB。

SuperPI 4M第一循环耗时约5.2秒，确实不理想，ES0样品嘛。