三星推1.25伏服务器内存芯片 耗电量减少15%

全球最大的内存芯片厂商三星电子周四在一项声明中称，它已经开发出一种新的基于30纳米级技术的低功率DRAM内存芯片。这种16GB DDR3 RDIMM（注册双列直插内存模块）内存模块本周四在新加坡正式公开披露。这种内存模块耗电量为1.25伏，可用于企业服务器。

三星称，这种最新的DRAM内存芯片代表了三星扩展环保的节能半导体的努力。与目前的内存模块相比，这种新的内存芯片能把耗电量减少15%。

与1.35伏的40纳米级的服务器内存芯片相比，这种新的内存芯片的耗电量减少了一半。

三星预测称，由于更多的企业正在建造数据中心，这种芯片的需求将很大。三星表示，它还将推出4GB、8GB和16GB的RDIMM内存模块。