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据国外报道,LSI于本周在旧金山举办的IDF大会上演示其新一代12Gb/s SAS 片上RAID技术。此次展示的是一种单片8端口12Gb/s SAS ROC芯片,将该芯片连接到8块6Gb/s Seagate SAS 2.5 英寸硬盘驱动器,在PCI Express 2.0直连存储配置下,运行小数据块连续读/写时,其性能可超过120万IOPS。
从官方资料了解,通过集成SAS和PCI Express的最新增强技术,配合创新的LSI硬件加速引擎,LSI SAS ROC能够为企业级固态驱动器(SSD)和基于即将发布的PCI Express 3.0规格的服务器平台提供所需的I/O性能,使它们充分发挥出性能优势。
LSI表示,SSD的性能未来向PCI Express 3.0服务器平台的转型,将成为推动行业对12Gb/s SAS连接功能需求不断增长的强劲动力。采用12Gb/s SAS,IT管理人员既能够让现有基础设施发挥出最大效益,又能够满足 I/O 密集型应用、云数据中心和虚拟化服务器环境的存储需求。
这款LSI第四代SAS架构为基础的12Gb/s SAS ROC,与上一代6Gb/s SAS ROC相比,其IOPS性能提高57%,I/O吞吐量提高45%。LSI表示,将12Gb/s SAS ROC与新一代基于PCI Express 3.0的系统集成,则可以实现更高的性能水平。
从市场角度来看,12Gb/s SAS将陆续被OEM厂商批量生产和交付采用12Gb/s SAS 的服务器和外部存储系统,采用12Gb/s SAS的服务器预计将在2013年初实现批量交付,随后在2013年下半年,外部存储系统也将批量投放市场。
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