分析：2011年DRAM的五大趋势

2011年DRAM（动态随机存储器）市场将会出现哪些情况？以下是来自投资银行Barclays Capital的五大趋势分析：

1、DRAM市场下滑

2011年很可能是NAND之年，而不是DRAM之年。平板电脑已经开始吞噬低端笔记本/上网本市场。在这种情况下，DRAM容量达2GB的小型笔记本电脑已被平板电脑取代，而后者仅提供256Mb或1/8大小的容量。因此，DRAM供应过剩。

2、采用30nm节点工艺

总体而言，所有厂商正在迁移到各种形式的3xnm中来。三星和海力士都迁移到了3xnm。有趣的是，尔必达也试图实现从65nm或65xS（65nm的缩小版）到3xnm的飞跃，力争大幅度降低成本。

3、韩国制造商垄断市场

与呈现分级局面的NAND市场不同，DRAM市场则存在被韩国制造商垄断的风险。目前，在前端（利润最大的技术）只有三星和海力士称得上是一级厂商，而美光、南亚、华亚（资金、技术略微落后）属于二级厂商，尔必达、力晶、瑞晶（技术、资金比较落后，但寻求实现重大飞跃）属于三级厂商。

对于DRAM市场，三星优势明显。他们还专注于制造30nm DRAM所需的 (阿麦斯公司) NXT (微影)工具市场。三星在这一年成功地增加了他们在DRAM市场的份额。相比全球DRAM市场大约45%～50%的增长率，三星实现了近70%的增长率。

海力士是一家知名的DRAM厂商，仅次于三星。目前唯一的问题在于债务负担和所有制结构，我们希望这些问题会在2011年得到解决。海力士在韩国M10晶圆厂和无锡（中国）生产4xnm和3xnm的DRAM，紧随三星之后。随着明年海力士从8F2架构移动到6F2架构，我们将会看到他们取得更大的成功。

4、美光阵营的艰难时期

曾几何时，美光似乎也跻身到一级厂商的阵营中，事实上，在2009年间美光已被评定为一级厂商，但这是依赖于他们完美地进行了DRAM电容规格过渡而实现的。2010年初的大批订单开了个好头，但所带来的收益却不够充足，全年的增长率也开始下降。

沟槽式到堆栈式的过渡并不十分顺利（对于美光的台湾合作伙伴而言）。南亚和华亚仍旧在努力生产50nm的DRAM，对于我们所期待的向40nm和30nm转变将十分困难。但至少随着沟槽式到堆栈式过度的完成，明年的情况或许会有所改观。因此，或许今年可以被记录一个学习曲线，随着明年美光与其合作伙伴南亚以及华亚拥有取得进展的必要资金，都将实现4xnm和3xnm的转变。迹象表明，2011年美光能够指导他们2/3的资本支出投向NAND。

5、尔必达的压赌

尔必达已经尽其所能争取回到主要DRAM厂商的地位。首先，台湾政府对DRAM的经济援助并未成功，但瑞晶、丽晶与茂德公司的合作关系依旧保持。现在，尔必达正努力提高在日本和台湾金融市场的融资。此外，在技术方面该公司推出了65nm XS，一个缩小的65nm DRAM芯片版本，这种芯片可使其在DRAM价格持续上升时仍能获得利润。另外，该公司正在努力实现40nm和30nm的飞跃。