深入剖析：令人期待的Nehalem-EP处理器

Nehalem-EP新亮点：High-K 45nm工艺 为日后打好基础

High-K就是高介电材料的简称，在半导体工艺不断进步中，伴之而来的就是晶体管越来越小，但个体的效能如何保证则越来越成问题，因此有必要采用新的高介电材料来制作晶体管中的栅级介电薄膜，以保证更好的电气性能，并为未来的晶体管密度扩展打下良好基础。

传统的65和45nm工艺仍然基于传统的硅材料制作晶体管的栅级，用二氧化硅做栅级的绝缘材料，当制程进一步提升时，漏电控制与互间干扰的问题将会越来越大，从而影响整体效能的进一步提升

英特尔的High-K 45nm工艺采用全新的金属栅级与铪基绝缘体薄膜

作为英特尔的第二代45nm工艺产品，Nehalem就采用了新的High-K材料，它不仅让CPU内部的电气性能更为优秀，也保证了未来发展的潜力，这与Nehalem架构所强调的模块化发展思路正好相符。未来英特尔可以更灵活的调整CPU内的晶体管数量，并把它们用在更需要的地方，比如增加大三级缓存，比如增加新的UnCore功能模块等等。