东芝开始出货首款32nm NAND闪存产品

东芝今天宣布，将开始出货采用32nm制程工艺的NAND闪存产品。全球首款32nm、提供目前为止密度最大的NAND闪存芯片的32Gb单芯片（4GB）样品正式上市，目前主流密度的16Gb芯片（2GB）产品将从7月开始登陆日本市场。32Gb芯片将率先被用于内存卡和USB内存，之后将扩展应用到嵌入式产品中。

东芝是行业内率先将43nm技术过渡到32nm技术的厂商之一，目前东芝已经开发出8款32Gb NAND闪存芯片。32nm技术将帮助进一步缩小芯片体积，帮助东芝提高产品和进一步升级到高密度小型化产品。

随着越来越多的手机和移动设备开始提供对视频和电影的支持，市场对高密度、小型化内存产品的需求也变得越来越强劲。凭借着在制程工艺方面的领先优势，东芝希望巩固和进一步加强自己在NAND闪存市场中的领先地位。

东芝将从今年7月——提前两个月开始量产32Gb NAND闪存。16Gb产品将从2009财年第三季度（2009年10月到12月）开始出货。东芝将在位于日本四日市的工厂生产最新的芯片产品。

东芝希望通过加入制程工艺过渡、MLC技术以及生产效率的不断提高来增强自己在内存业务方面的竞争力。