SanDisk研发32nm工艺NAND闪存

　　在国际固态电路会议ISSCC 2009上，Intel拿出了32nm Westmere处理器，SanDisk也同样带来了32nm工艺，只不过会用在NAND闪存上。

　　SanDisk宣布与东芝合作研发32nm MLC NAND闪存存储技术，生产32Gb 3bit/cell(X3)闪存芯片，可广泛用于高速存储卡和固态硬盘等产品。

　　SanDisk的第一代X3技术是在一年半前的56nm工艺上实现的，现在43nm工艺上的是第二代，即将配合32nm的则是第三代技术。

　　SanDisk称，规划中的32nm 32Gb X3芯片将是最小尺寸的NAND闪存核心，面积仅仅113平方毫米，同时存储密度也是最高的，能在相似的核心面积上提供两倍于43nm MicroSD芯片的容量，另外借助SanDisk的专利技术All-Bit-Line，能有效确保足够的写入性能。

　　SanDisk预计将在今年下半年开始投产这种32nm 32Gb X3闪存。