东芝与SanDisk发表4bit多值NAND闪存技术

在近日于旧金山召开的国际固态电路大会（ISSCC，International Solid-State Circuits Conference）上，东芝与SanDisk共同发表了4bit多值NAND闪存技术，即在一个存储单元（Cell）上保存16种电位状态（即4bit）。目前的主流多值NAND为2bit，即我们现在常见的MLC，可在一个Cell上保存4种电位状态。

4bit多值NAND样品采用43nm CMOS工艺制造，容量达64Gb，写入速度可达到5.6MB/s（详细的时序参数并没有透露）。另外，东芝与SanDisk还发表了3bit多值NAND闪存技术，即在一个Cell上保存8个电位状态。

3bit多值NAND闪存样品容量为32Gb，采用35nm CMOS工艺制造，芯片面积只有113平方毫米。而海力士半导体公司也试制了3bit多值NAND闪存，以48nm工艺制造，容量32Gb，芯片面积为201平方毫米。Intel与美光（日本）公司则发表了最新的2bit多值NAND闪存，采用34nm工艺，芯片面积172平方毫米，写入速度为9MB/s。