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东芝、SanDisk合资24nm NAND闪存晶圆厂开张

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东芝、SanDisk(闪迪)今天联合宣布,双方共同投资的300毫米NAND闪存晶圆厂“Fab 5”正式开张,投产24nm工艺闪存芯片。Fab 5是东芝的第三座300毫米晶圆厂,目前开始投产的是24nm NAND闪存工艺,这也是业内目前最先进的闪存制造工艺技术,2010年8月份首次投入量产。

来源:驱动之家 2011年7月13日

关键字: 东芝 SanDisk NAND闪存

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东芝、SanDisk(闪迪)今天联合宣布,双方共同投资的300毫米NAND闪存晶圆厂“Fab 5”正式开张,投产24nm工艺闪存芯片。

Fab 5位于日本四日市三重县,由东芝、SanDisk 2010年9月联合投资成立的Flash Forward, Ltd.公司负责运营,双方分别持有50.1%、49.9%的资本,员工300多人。该工厂于2010年破土动工,2011年3月份完工,如今正式投入量产,并计划在8月份出货第一批晶圆。

Fab 5是东芝的第三座300毫米晶圆厂,目前开始投产的是24nm NAND闪存工艺,这也是业内目前最先进的闪存制造工艺技术,2010年8月份首次投入量产。Fab 5未来还会转向更先进的工艺,比如下一站就是19nm。

Fab 5厂区总面积18.7万平方米,建筑面积3.8万平方米,主体是一栋五层大楼,双层钢筋混凝土加高级防震结构。通过LED照明和节能制造设备等措施,Fab 5预计将会比Fab 4减少12%的二氧化碳排放量,同时水循环系统也与Fab 3、Fab 4连接在一起,进一步保证高效生产。

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