采用20纳米工艺 三星量产业界最快NAND闪存芯片

ZDNet至顶网服务器频道 5月13日 编译（文/Uma）：全球最大的内存芯片厂商三星电子于本周四表示，他们已经开始大批量生产新型NAND闪存芯片。据悉，这款闪存芯片将是全球市场上传输速度最快的NAND芯片。

三星电子在声明中介绍，该闪存芯片的容量为64GB，配置一个DDR 2.0接口，能够实现每秒400MB的数据处理速度。这款全新的NAND闪存芯片是基于20纳米工艺技术制造的，它的数据传输速度比目前市场上最广泛使用的NAND芯片快10倍。

三星公司预计此款芯片产品将用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等等。

三星电子半导体市场营销执行副总裁洪完勋表示，"此次生产采用20纳米工艺、Toggle DDR 2.0技术、64GB内存的NAND芯片，标志着三星在市场的主导地位，而现在正是4G智能手机和SATA 6Gbps固态硬盘在引领未来的趋势。我们将一如既往地致力于为用户提供全球最先进的Toggle DDR NAND闪存和解决方案，满足更高性能、更高密度的需求，令全球手机用户体验更多样的服务。"

根据IHS iSuppli的调研预测，从现在直到2015年，全球NAND闪存芯片市场都将以54%的年均复合增长速度稳定发展。iSuppli还预计，明年64Gb或以上的NAND闪存所占总产品的比重也将由2010年的3%大幅提高至70%，实现爆发式增长。