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采用20纳米工艺 三星量产业界最快NAND闪存芯片

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据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子于本周四表示,它们已经开始大批量生产新型NAND闪存芯片。据悉,这款闪存芯片将是全球市场上传输速度最快的NAND芯片。

来源:ZDNet China 2011年5月13日

关键字: 三星 NAND闪存

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ZDNet至顶网服务器频道 5月13日 编译(文/Uma):全球最大的内存芯片厂商三星电子于本周四表示,他们已经开始大批量生产新型NAND闪存芯片。据悉,这款闪存芯片将是全球市场上传输速度最快的NAND芯片。

20纳米工艺 三星量产业界最快NAND闪存芯片

三星电子在声明中介绍,该闪存芯片的容量为64GB,配置一个DDR 2.0接口,能够实现每秒400MB的数据处理速度。这款全新的NAND闪存芯片是基于20纳米工艺技术制造的,它的数据传输速度比目前市场上最广泛使用的NAND芯片快10倍。

三星公司预计此款芯片产品将用于高性能移动设备,如智能手机、平板电脑和固态硬盘(SSD)等等。

三星电子半导体市场营销执行副总裁洪完勋表示,"此次生产采用20纳米工艺、Toggle DDR 2.0技术、64GB内存的NAND芯片,标志着三星在市场的主导地位,而现在正是4G智能手机和SATA 6Gbps固态硬盘在引领未来的趋势。我们将一如既往地致力于为用户提供全球最先进的Toggle DDR NAND闪存和解决方案,满足更高性能、更高密度的需求,令全球手机用户体验更多样的服务。"

根据IHS iSuppli的调研预测,从现在直到2015年,全球NAND闪存芯片市场都将以54%的年均复合增长速度稳定发展。iSuppli还预计,明年64Gb或以上的NAND闪存所占总产品的比重也将由2010年的3%大幅提高至70%,实现爆发式增长。

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