闪存新标准出炉 NAND访问速度翻番

新闪存接口标准已经出炉，NAND访问速度有望翻倍达到400MB/s，闪存对消费级设备和业务计算将更具吸引力。

开放NAND闪存接口（Open NAND Flash Interface，ONFI）工作委员会已颁布了ONFI v3.0标准。该委员会成立于2006年5月，目前已发展了100多名的组织成员，分别来自制造、设计或使用闪存产品的群体，包括海力士、英特尔、美光、SanDisk和索尼。

v3.0标准通过非易失性DDR2（NV-DDR2）接口可使NAND接口速度从ONFI v2.1标准的200MB/s增加到400MB/s。新标准可向后兼容以前的ONFI标准。

关于ONFI的声明称：“ONFI 3.0标准采用了复杂的模片选择功能，可减少芯片启用（CE）引针数，进而减少控制器的引针数，提高PCB布线效率。减少CE引针数对于SSD至关重要，可显著降低其成本，并可将额外的引针分配给系统内的其他任务。”

据估计，未来版本会增加对ECC Zero（EZ-NAND接口）的支持，以使应用NAND的系统免去NAND ECC操作的复杂集成，从而简化导入设计进程。ONFI 3.0标准应该会被普及的应用。