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闪存新标准出炉 NAND访问速度翻番

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开放NAND闪存接口(Open NAND Flash Interface,ONFI)工作委员会已颁布了ONFI v3.0标准。NAND访问速度有望翻倍达到400MB/s,闪存对消费级设备和业务计算将更具吸引力。

来源:ZDNet 2011年3月18日

关键字: NAND闪存

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新闪存接口标准已经出炉,NAND访问速度有望翻倍达到400MB/s,闪存对消费级设备和业务计算将更具吸引力。

开放NAND闪存接口(Open NAND Flash Interface,ONFI)工作委员会已颁布了ONFI v3.0标准。该委员会成立于2006年5月,目前已发展了100多名的组织成员,分别来自制造、设计或使用闪存产品的群体,包括海力士、英特尔、美光、SanDisk和索尼。

v3.0标准通过非易失性DDR2(NV-DDR2)接口可使NAND接口速度从ONFI v2.1标准的200MB/s增加到400MB/s。新标准可向后兼容以前的ONFI标准。

关于ONFI的声明称:“ONFI 3.0标准采用了复杂的模片选择功能,可减少芯片启用(CE)引针数,进而减少控制器的引针数,提高PCB布线效率。减少CE引针数对于SSD至关重要,可显著降低其成本,并可将额外的引针分配给系统内的其他任务。”

据估计,未来版本会增加对ECC Zero(EZ-NAND接口)的支持,以使应用NAND的系统免去NAND ECC操作的复杂集成,从而简化导入设计进程。ONFI 3.0标准应该会被普及的应用。

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