东芝SanDisk公布首款X4 NAND闪存

东芝公司近日表示在NAND闪存的多层单元技术方面取得重大突破，这一成果将把芯片密度和成本节约优势带入下一代设备中。在当前32nm技术当道的时期，东芝公司成功研发出采用43nm技术的3-bits-per-cell (X3) 闪存、32Gb芯片，以及已经上市的采用了43nm技术的2-bits-per-cell (X2) 闪存、16Gb芯片。这款高端芯片产品将在2009年下半年投入生产，另外东芝还公布了全球首款采用4-bits-per-cell (X4)闪存技术、43nm工艺的64Gb芯片。

64GB X4 NAND闪存

采用32nm技术的32Gb X3 NAND闪存

东芝和技术合作伙伴SanDisk在近日召开的国际固态电路会议（ISSCC）上公布了这些重要技术优势。

NAND闪存制造商必须满足市场对低成本高容量芯片的需求。东芝和SanDisk凭借其创新技术取得了突破性进展。

采用X3技术、32nm工艺的新一代设备针对行解码器和扩展卷架构对电路设计进行了优化，从而造就了这个只有113平方毫米、目前体积最小的芯片。X4采用了超多位技术，因此不用增加芯片体积就可以实现64Gb和7.8MB/s2的写入速度性能。

东芝和SanDisk在NAND闪存技术开发和制造方面一直保持着领先地位。东芝将进一步致力于高端处理技术的研发，扩大应用范围和NAND闪存市场。

64Gb X4 NAND闪存主要规格：