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东芝计划09年开始出货32nm闪存

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东芝在考虑剥离系统LSI业务和离散元件业务的同时,关于存储器业务,则计划“致力于竞争力的源泉——NAND型闪存的微细化”(东芝代表执行董事社长西田厚聪)。继现有的43nm产品之后,“2009年9月将领先于业界开始供货32nm产品”

来源:ZDNet 2009年2月5日

关键字: 32nm 东芝 NAND闪存

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在考虑剥离系统LSI业务和离散元件业务的同时,东芝在存储业务方面的重点转移到NAND型闪存的微细化上来。东芝代表执行董事社长西田厚聪表示,继现有的43nm产品之后,“2009年9月将率先开始供货32nm产品”。

  东芝表示,固态盘(SSD)将会成为NAND闪存的下一个杀手级应用。西田认为,未来除了笔记本电脑和低价上网本外,还将看到服务器中固态盘与硬盘混合应用的现象。到那时候,东芝将把自己在硬盘业务方面的优势扩大到固态盘业务中。

  不过东芝预计,NAND闪存等半导体市场可能要到2009年10月以后才能进入复苏期,因此东芝计划将推迟2009年的NAND闪存工厂建设项目。西田表示,日本三重县和四日市的新工厂动工将推迟到2010年,岩手县北上市新工厂动工将“根据高清市场动向随机应变”。

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