英特尔 基辛格：迈向10nm工艺的康庄大道

　　在即将迎来公司的40岁生日之际，Intel高级副总裁兼数字企业事业部总经理Pat Gelsinger信心满满地预言，Intel将在2012年左右将硅晶圆尺寸升级到450mm(现在主要是300mm)，而生产工艺会在不久的将来进步到10nm。

　　Gelsinger表示，他和同事们曾经还怀疑能否实现100nm工艺，“但我们做到了，而今天迈向10nm半导体工艺的康庄大道就在眼前。在摩尔定律的指挥下，我们总是对未来十年做出规划，因此10nm之后会怎么样现在我们还不确定”。

　　Intel现在已经转入45nm，按计划会在明年底升级为32nm，接下来是14nm(未提及22nm)，再往后就是单位数了。

　　Gelsinger称，在自然法则约束下的Intel为了不断坚持摩尔定律，不得不在每次更新工艺的时候加入新元素材料。他说：“以硅为核心，不断有元素周期表里的其他成员加入进来。现在我们已经使用了整个元素周期表里大约半数的元素，而在诺依斯和摩尔成立Intel公司的时候，他们只使用了六种。”

　　“我们用High-K取代了栅极，在其上放置金属，但核心仍然是硅。随着工艺的进步，(下一个核心)可能是碳，也可能是自旋电子，但无论如何我们都会一往无前。”

　　Gelsinger还谈到了晶圆尺寸升级为450mm的问题。他说：“硅技术每进步一代，拥有自己晶圆厂的企业就少一批。曾经有上百家企业拥有晶圆厂，而现在只有十多家，等到450mm的时候可能就只有个位数了。任何实力不足10亿美元的企业都无力应对下一次过渡，他们会被摩尔定律淘汰。”

　　Intel、三星和台积电已经在两个月前宣布，计划合作在2012年投产450mm晶圆。即使财大气粗如Intel，面临这样规模的新工艺也已经无法独自承担。