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秋季IDF:英特尔激光硅芯片技术带宽40G

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2007年秋季英特尔信息技术峰会(IntelDeveloper Forum,简称IDF)将在旧金山的马士孔尼会议中心(Moscone Center West)举行。

作者:Zol 2007年9月19日

关键字: 英特尔 IDF PIC

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    ZDNetChina服务器站 9月19日服务器组件/芯片讯 2007年秋季英特尔信息技术峰会(IntelDeveloper Forum,简称IDF)将在旧金山的马士孔尼会议中心(Moscone Center West)举行。

  太平洋时间9月18日,英特尔光电子技术实验室主任兼特别研究员Mario Paniccia告诉与会者,Intel正在开发的硅锗基图像检测器能用于识别40 Gbits/秒的激光信号。同时Intel还声称它是世界上最好的硅锗图像检测器。

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Intel激光硅芯片近照

  对于光学通信和未来的光学互联来说,光子集成电路(PIC)是一种非常高效的解决方案,其中的一个关键部件就是高速的硅光学调节器,主要用途是在光束上编码数据。

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Intel选择低成本硅作搭载平台,带宽却提升至40Gbps

  目前的商用光学调节器每秒只能编码10Gb数据,而且需要铌酸锂、III-V化合物半导体等特殊材料,而Intel则选择了成本低廉、制造工艺成熟的硅作为搭载平台,速度却从2004年的1Gbps不断提升,如今终于达到了40Gbps的高度。

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绿线内薄锗层吸收波长为1.3-1.6微米的光线

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Intel研究人员增加的一层薄锗

  在过去,纤维光学是一个昂贵而又专业化的解决问题的方法。这促使Intel开始研究硅光子学,包括用硅制造光纤元件,在可见光谱,硅是不透明的,在红外线波长才具备透明性,这意味硅可以做为光连接介质。不过硅不能吸收光,这是一个问题。为了转换红外线进入探测器,Intel的研究人员在外部增加了一层薄锗,原因是锗能吸收波长为1.3-1.6微米的光线。

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