IDF2011--回顾Intel晶体管的发展历程

2011.09.13-15,2011秋季IDF在美国洛杉矶隆重召开，众多英特尔最新技术在此次论坛上得到展示，其中包括众人瞩目的Ivy Bridge芯片组、Ultra Book、22nm晶体管技术等等。让我们跟随Intel高级工程师Mark Bohr，一起回顾下过去几十年晶体管的发展历史。

　　1969年，英特尔开发出10微米PMOS晶体管；1974年，英特尔开发出6微米制程技术；1978年，英特尔开发出3微米制程技术；1989年，英特尔开发出1微米制程技术；1993年，英特尔开发出0.8微米制程技术；1995年，英特尔开发出0.35微米制程技术；1997年，英特尔开发出0.25微米制程技术；1999年，英特尔开发出0.18微米制程技术；2001年，英特尔开发出0.13微米制程技术；2003年，英特尔开发出90纳米制程技术；2005年，英特尔开发出65纳米制程技术；2007年，推出45nm制程技术；2009年，推出32nm制程技术，在今年的大会上Intel高调宣传其22nm技术。晶体管的大小基本上每两年就会缩小30%。

21世纪初，传统晶体管逐渐淡出历史舞台，而随之相应的问题也来了，随着晶体管的超大规模集成，漏电现象变得日益严重，每更新一代工艺，漏电功耗将近上一代技术的三倍。

90nm硅晶体管原理

英特尔65nm和45nm工艺原理　　

随着材料以及工艺的不断改革，晶体管的体积在不断地缩小，但是性能却在大幅的提高。　　

新材料、新工艺的应用在性能不断提升的同时，功耗也在不断地降低，65nm到45nm再到32nm每代工艺的更新，功耗降低将近10倍。这些为丰富的用户体验提供了最基础也是最重要的条件，从大型服务器、桌面服务器、笔记本、平板电脑、手机等等无一不在见证着晶体管发展的奇迹。