GLOBALFOUNDRIES CEO：2011主攻28nm工艺

GLOBALFOUNDRIES 2011年的计划投资金额将增至54亿美元，相当于2010年的两倍。其投资重点将放在200mm晶圆生产线，计划致力于MEMS元件（压力传感器和加速度传感器及回速器）的生产。投资还计划用于前面所述的，扩大Fab 1工厂产能、扩建Fab 8以及实现阿布扎比技术集群区计划。

在开发实用的28nm工艺同时，GLOBALFOUNDRIES还将着手22/20nm工艺的基础研究。此外，28nm工艺采用了Gate First技术，而20nm工艺将采用Gate Last（后栅极）技术结合HKMG（High-K绝缘层+金属栅极）的方式。

2011年投资相比2010年增加一倍

实现可用的28nm工艺

开发20nm工艺并采用Gate Last技术

在 MEMS方面，市场目前主要以150mm晶圆生产为主，通过采用200mm晶圆可满足未来的大量需求。大型无晶圆厂MEMS企业对此也可能非常期待。

GLOBALFOUNDRIES还将研发先进的封装技术，改善3D堆叠技术成本并提高其性能。

随着半导体制造业内重要的光刻技术日益微细化，GLOBALFOUNDRIES将进一步研发EUV（Extreme Ultraviolet：超紫外）光刻技术，Fab 8工厂计划在2012年下半年导入此技术，2014年到2015年期间开始投入量产。此导入方式省略了前期开发的过程，可达到早期直接使用的目的。

发布200mm晶圆的MEMS

提高3D堆叠技术的性能

研发EUV光刻技术

Fab 8率先导入，早日实现量产目标