GLOBALFOUNDRIES CEO：2011主攻28nm工艺

为在技术方面有所提高，GLOBALFOUNDRIES将集中发展28nm工艺。相比40nm工艺 ，28nm 的Gate First（先栅极）可使集成密度增加两倍，速度提升50%，转换器和能源皆减少50%。此技术还将继续结合HKMG（High-K绝缘层+金属栅极）。28nm工艺有望在2011年第二季度对外进行测试。

另一方面，GLOBALFOUNDRIES将于2011年期间大规模量产32nm工艺。AMD的Llano将采用GLOBALFOUNDRIES 32nm工艺制造，Llano是拥有四核x86 CPU、支持DirectX 11且集成了GPU的APU产品。此外，三星将首次采用High-K金属栅极技术发布SoC产品。

28nm工艺特征

预计2011年期间推出32nm工艺产品

最近，28nm工艺受到了越来越多的关注，移动产品市场的不断扩大是其中的一个重要因素。Grose表示：“近几年，3G网络用户急剧增长，网络视频的普及增加了对通信量的需求。要想在移动环境中实现网络视频功能，就必须保证高性能、低功耗且电池寿命长等特性，而28nm工艺可实现客户期待的这些特性。”

而且GLOBALFOUNDRIES还将与Common Platform Alliance成员企业IBM、三星、意法半导体合作，在2011年期间实现28nm工艺制造工厂同步的目标。采用28nm工艺的客户将可获得大批量且灵活生产的益处。

此外，预计移动设备未来还将大幅增长，GLOBALFOUNDRIES为此加强了与ARM的战略合作，推出了业界首颗28nm 工艺的Cortex-A9处理器。其功耗最多可减少30%，待机模式下的电池寿命可延长一倍，且多任务处理和图形性能也得到了大幅度的提升。此外，基于Cortex-A9架构的SoC处理器也正处开发中，其双核宏的主频范围为10MHz～2.5GHz。

28nm工艺需求不断增加

4家晶圆厂同步参与28nm工艺制造

与ARM合作开发28nm工艺的SoC平台

开发中的IP平台“Semper”