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东芝推32nm工艺高速DDR NAND闪存

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上月刚刚宣布和三星一同推动Toggle Mode DDR NAND 2.0标准化的东芝公司日前宣布,其基于第一代Toggle Mode DDR NAND标准闪存已经开发完成正式推出,包括64Gb/128Gb/256Gb容量的MLC颗粒和32Gb/64Gb/128Gb的SLC颗粒。

来源:驱动之家 2010年8月13日

关键字: NAND闪存 东芝

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  上月刚刚宣布和三星一同推动Toggle Mode DDR NAND 2.0标准化的东芝公司日前宣布,其基于第一代Toggle Mode DDR NAND标准闪存已经开发完成正式推出,包括64Gb/128Gb/256Gb容量的MLC颗粒和32Gb/64Gb/128Gb的SLC颗粒。

  Toggle Mode即切换模式,相比传统的异步NAND闪存,其接口带宽可从40MT/s提升到133MT/s,而对比同步DDR NAND闪存,由于不需要时钟同步信号,因此功耗更低,系统设计也更简单。Toggle Mode DDR NAND闪存主要面向需求高速度的商业应用,固态硬盘当然也是其应用范围之一。

  在第一代Toggle Mode DDR NAND闪存量产后,东芝将和三星一道,推广Toggle Mode DDR NAND 2.0标准,计划将接口带宽提高到400MT/s。

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