科技行者

行者学院 转型私董会 科技行者专题报道 网红大战科技行者

知识库

知识库 安全导航

至顶网服务器频道服务器组件三星宣布首款20nm级32Gb NAND闪存芯片

三星宣布首款20nm级32Gb NAND闪存芯片

  • 扫一扫
    分享文章到微信

  • 扫一扫
    关注官方公众号
    至顶头条

据报道,三星今天宣布他们已经研发出业界首个用于SD存储卡的20nm级工艺32Gb NAND闪存芯片。三星表示,新20nm级32Gb NAND闪存芯片日后还将用于高性能存储卡、智能手机和高端IT应用。

来源:驱动之家 2010年4月21日

关键字: NAND闪存 三星

  • 评论
  • 分享微博
  • 分享邮件

  据报道,三星今天宣布他们已经研发出业界首个用于SD存储卡的20nm级工艺32Gb NAND闪存芯片。

  三星称,和30nm级MLC NAND闪存芯片相比,新研发出的20nm级32Gb闪存芯片产能上可提升50%,基于该芯片的SD卡写入速度提高30%至10MB/s,读取速度20MB/s。与此同时,新工艺芯片在采用尖端处理工艺、设计和控制器技术后,耐用性上与30nm级相当。

  2009年3月,三星率先生产30nm级32Gb NAND闪存芯片。目前,他们也已经开始出货基于20nm级32Gb NAND闪存芯片的SD存储卡样品,新卡的容量在4GB-64GB,预计今年晚些时候实现量产。

  三星表示,新20nm级32Gb NAND闪存芯片日后还将用于高性能存储卡、智能手机和高端IT应用。

    • 评论
    • 分享微博
    • 分享邮件
    邮件订阅

    如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息,那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。

    重磅专题
    往期文章
    最新文章