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三星宣布开始量产30nm NAND闪存

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全球最大的NAND闪存制造商三星公司在12月1日宣布开始量产30nm MLC闪存芯片。

来源:ZDNet编译 2009年12月2日

关键字: NAND闪存 30nm 三星

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全球最大的NAND闪存制造商三星公司在12月1日宣布开始量产30nm MLC闪存芯片。

三星宣称是固态处理器行业第一家开始量产30nm闪存芯片的芯片制造商。

最新的处理器将与三星自己的3位NAND控制器一起用于闪存模块中,生产用于U盘、手机和照相机的8GB microSD。

因为3位MLC NAND比传统2位芯片的NAND数据存储容量提高了近50%,所以消费者有更多的空间来存储大型数据文件,例如视频和高清图像。

与其他闪存提供商一样,三星也致力于其他NAND技术升级,例如异步提高MLC NAND内存的数据传输率。

目前三星向所有主要设备制造商提供他们的产品,其中包括惠普、诺基亚、RIM、希捷、戴尔、Sun以及企业级NAND闪存服务器制造商Fusion i-o。

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