东芝闪迪明年量产20nm NAND闪存芯片

　　据报道，东芝及其合作伙伴闪迪将从明年下半年起开始量产20nm工艺NAND闪存芯片，随着制程工艺的升级，东芝和闪迪在日本四日市联合开办的晶圆厂月产量将达到20万片。

　　东芝已于近期开始生产3bpc 32nm闪存芯片，该工艺的闪存芯片产量将占据其四日市工厂闪存芯片年产量的50%，不过目前的进展不太乐观，落后了先前的计划。

　　竞争对手Intel和美光早已表示在年底前推出2xnm工艺，双方组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies也在按计划投产使用3bpc 34nm工艺的32Gb NAND闪存芯片。

　　三星也抓紧了自己在固态硬盘市场的脚步，将他们在奥斯丁的8寸晶圆厂升级到了12寸，以生产更多的NAND闪存芯片。

　　业界人士指出，2xnm工艺NAND闪存芯片的生产有助于固态硬盘市场价格体系的调整，加速其取代机械硬盘的步伐。