科技行者

行者学院 转型私董会 科技行者专题报道 网红大战科技行者

知识库

知识库 安全导航

至顶网服务器频道服务器组件Intel、美光25nm NAND闪存二季度开售

Intel、美光25nm NAND闪存二季度开售

  • 扫一扫
    分享文章到微信

  • 扫一扫
    关注官方公众号
    至顶头条

Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。

来源:驱动之家 2010年3月23日

关键字: NAND闪存 Intel

  • 评论
  • 分享微博
  • 分享邮件

  Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。

  IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣布投产,这也是该领域的制造工艺首次进军到30nm之下,并应用了沉浸式光刻技术。新闪存内核面积167平方毫米,每单位容量2bit,总容量8GB,相比现有的34nm工艺闪存容量翻了一番,内核面积却小了十分之一。

  Intel NAND闪存业务市场经理Troy Winslow打了个比方:新闪存以不超过CD光盘中间孔的大小存储了十倍于光盘容量的数据。

  对于目前闪存设备容量偏小、使用寿命有限的问题,美光NAND闪存业务市场经理Kevin Kilbuck声称,他们将在几个月内发布新型固态硬盘,初步解决这些问题。

  三星宣布将在今年第二季度投产27nmNAND闪存,海力士也已经宣布了26nmNAND闪存,不过Troy Winslow表示:“我们相信Intel、美光的领先优势即使没有9-12个月,也有5个月。”

    • 评论
    • 分享微博
    • 分享邮件
    邮件订阅

    如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息,那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。

    重磅专题
    往期文章
    最新文章