三星发布4Gb DDR3内存芯片

近日，三星电子公司表示利用其50纳米电路技术开发首款4Gb DDR3内存芯片，相比目前的DDR3产品，这款芯片将提供更高的容量和更低的能耗。

三星这项新技术主要针对那些生产“新一代绿色PC”的制造商，并将被用于服务器的16GB DIMM或者RDIMM；面向工作站和台式机的8GB UDIMM；面向笔记本电脑的8GB SO-DIMM。

作为一种DRAM技术，DDR3相比DDR2拥有诸多优点，尤其是能够以八倍速率传输I/O数据，而能耗却降低了30%。

三星半导体公司技术副总裁Kevin Lee发表声明称：“我们凭借在技术创新方面的优势开发了首款4Gb DDR3，在行业内率先实现了更高的DRAM密度。”

三星表示采用了双晶片（dual-die）封装技术将两个16GB模块封装在一个双晶片封装内，最高容量达到32GB，这也是上一代最高芯片密度产品容量的两倍。

三星最新开发的芯片功率为1.35伏，最高速度为1.6Gb。16GB模块要比2Gb DDR3模块的能耗减少40%，因为更高密度的50纳米技术使用了半数的芯片，也就是64个中的32个。

三星计划未来所有DRAM产品都将采用50纳米工艺制程。三星在去年九月发布了首款采用50纳米2Gb DDR3 DRAM的产品，未来三星还将提供1Gb DDR3 DRAM。

预计配置有DDR3系统内存的PC产品出货量将保持稳定增长。市场调研公司IDC预计，到2011年DDR3在出货量方面所占DRAM市场份额将从今年的29%增长到72%。

不过，由于经济危机导致PC和消费电子市场的销售量直线下滑，从而严重影响了DRAM市场。三星本月发布财报称这是他们首次遭受季度亏损，主要是受到设备、液晶显示屏以及内存芯片销售量下滑的影响。