科技行者

行者学院 转型私董会 科技行者专题报道 网红大战科技行者

知识库

知识库 安全导航

至顶网服务器频道Intel固态硬盘路线图:年底34nm、320GB

Intel固态硬盘路线图:年底34nm、320GB

  • 扫一扫
    分享文章到微信

  • 扫一扫
    关注官方公众号
    至顶头条

根据路线图,Intel的固态硬盘产品将在今年底全线转入34nm生产工艺,容量也会最高提至320GB。

来源:驱动之家 2009年2月2日

关键字: 英特尔 固态硬盘

  • 评论
  • 分享微博
  • 分享邮件

  根据路线图,Intel的固态硬盘产品将在今年底全线转入34nm生产工艺,容量也会最高提至320GB。

  2.5寸的X25-M MLC和1.8寸的X18-M MLC当前采用50nm NAND闪存芯片,容量有80/160GB两种,年底则会提供80/160/320GB三种容量,且都是34nm产物。

  面向企业市场的X25-E也会升级到34nm,不过由于是SLC规格,容量只有64/128GB,但这也比目前翻了一番。

  除了工艺改进、容量翻番,新款固态硬盘的控制器也会升级,因此性能自然会更好,当然价格上也会更高。

  除此之外,Intel将在明年第一季度推出Turbo Memory技术的升级版“Braidwood”,将配合Q57/P57/H57等新一代芯片组为主流PC带来固态硬盘级别的性能,容量有4/8/16GB三种,同样是34nm工艺产物。

    • 评论
    • 分享微博
    • 分享邮件
    邮件订阅

    如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息,那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。

    重磅专题
    往期文章
    最新文章