45纳米低功耗半导体制程技术蓄势待发

9月5日获悉，IBM、特许半导体制造公司、英飞凌科技和三星电子已宣布，基于各方协作开发的45纳米低功耗制程技术推出第一种实用硅电路（silicon-functional circuit）和设计包。在由业界领先的CMOS技术研发联盟所开发的新技术中，硅电路关键设计要素的早期描述以及早期设计包的推出为设计人员转向这一最新制程技术提供了一个良好的开端。早期的设计包由4家公司协作开发，很快就会提供给客户。

第一种采用45纳米技术的电路主要用于下一代通信系统，它已在使用这种制程技术的硅片上得到了验证，该制程技术由合作联盟的成员联合开发，并由设在纽约州East Fishkill的IBM 300毫米晶元生产线制造，合作联盟的联合开发团队同时也设置于此。成功通过验证的模块中包括英飞凌提供的标准库单元和I/O组件，以及由联盟开发的嵌入式存储器。英飞凌在第一批300毫米晶元上安装了特殊的电路，用于调试复杂的加工过程以获得产品架构交互方面的经验。

英飞凌科技董事兼通信解决方案业务集团总裁Hermann Eul先生表示：“这一成果是我们成功战略中又一里程碑，这一战略就是尽早使用最先进的技术平台开发最佳的产品解决方案。这是第一种45纳米结构，代表了我们最先进的技术，它融合了多种高性能和低功耗设计。这种解决方案非常适合满足下一代移动应用的需要。”

设计包的开发融合了4家公司的设计专家知识，可以推动芯片客户的设计人员更早地转向这种新的工艺，并继续推动所谓的“一项设计、多工厂加工制造”能力，最大程度地发挥设计的作用并为客户带来益处。45纳米低功耗制程有望在2007年年底之前在特许、IBM和三星300mm的工厂中完成安装并通过全面质量鉴定。

IBM半导体研发副总裁兼联盟联合开发负责人Lisa Su女士表示：“在第一种45纳米制程技术开发并向客户交付的过程中所表现出来的速度、创新和完整性，展示了4家公司合作为客户带来的不断增强的价值以及优势。我们硬件的初步结果显示，45纳米节点设备的性能表现至少比65纳米节点高出30%，产品开发人员可以充满信心地根据这种制程进行设计。与单打独斗相比，充分利用这一由业界领先厂商组成的联盟在世界各地所拥有的重要研发和IP（知识产权）资源，我们可以大大提高向市场提供制造技术，以及为支持各种设计做好准备的速度和有效性。另外，我们还给客户带来了另一个优势——各制造工厂都实现了GDSII兼容，客户因此而能够灵活地获得这种技术。”

三星电子系统大规模集成电路部尖端技术开发团队副总裁Ho-Kyu Kang先生表示：“IBM、特许、英飞凌与三星之间进行的这一独一无二的合作减少了应用尖端制程技术的内在风险。我们的客户可以在开发领先设计包和制程技术的过程中充分利用我们在系统层面、产品设计和制造专家知识的综合优势。”（责任编辑：袁斌）