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2009年,英特尔至强5500(Nehalem-EP)系列处理器的横空出世,结束了双路服务器传统前端总线架构的历史,从此,IA服务器进入全新的直连架构时代:QPI总线、集成内存控制器、HT超线程、Turbo Boost睿频加速、Intel VT虚拟化、智能节能等全新特点的出现,1倍以上的性能提升,超高的内存带宽,奠定了至强5500在x86服务器芯片发展历史中的革命性地位,也宣告了英特尔智能计算时代的来临。
2010年,根据英特尔TICK-TOCK的策略,至强服务器不仅将延承Nehalem架构的诸多优势,还将进入全新的32纳米工艺时代。在基于英特尔平台的双路服务器市场,最值得期待的莫过于“采用32纳米工艺和Nehalem微架构,代号Westmere-EP的新一代至强5600系列处理器”。
3月3日,英特尔在北京举办了智能计算媒体鉴证会。英特尔(中国)有限公司服务器产品事业部产品经理顾凡介绍了这款即将在3月中旬发布的第一代32纳米服务器处理器。该产品将延续英特尔去年在至强5500中提出的三大“智能计算”新主张:智能性能、智能节能、虚拟化。
32纳米带来的进步
跟至强5500相比,至强5600的重要变化在于:32纳米工艺、6核心12线程设计、3.46GHz的更高主频、12MB的更大L3缓存,以及在能耗管理方面的增强技术等。其中最重要的当然属于32纳米工艺,由于采用了第二代高-K金属栅极晶体管技术,用于高K材料的等价氧化物(电介质)的厚度从45纳米工艺时的1纳米缩小至0.9纳米,栅极长度缩小到了30纳米,所以单位面积可以集成更多晶体管,处理器的同比封装尺寸将是45nm产品的70%;同时采用了第4代应变硅,电子在晶体管中的流通更顺畅,阻力更小,耗电更低。因此,相比较于45纳米,最新的32纳米处理器更小,更快,更强,更高能效。[ISSCC 2010:深入32nm Westmere处理器]
总之,32纳米工艺进一步提升了英特尔部署晶体管密度的能力,提升了单位晶体管的性能,降低了单位晶体管的能耗。因此,可以在相同成本下提高性能,在同样的功耗下提升主频,也可以加入更多内核,把缓存做得更大。比如,得益于工艺进步,与上一代产品中最高端的X5570(2.93GHz,95w)相比,L5640(6核,2.26GHz,60w)的性能相当,但功耗却降低了30%。这使得用户可以实现更高密度的部署。
据顾凡介绍,至强5600在处理器微架构上没有太大改变,但采用了更先进的32纳米工艺,预计性能会比45纳米的至强5500高60%,如果与2005年的单核处理器相比,性能更是高达15倍之多。
在自适应能效方面,至强5600主要在4个方面进行了改进,一是CPU功耗更低,每瓦特性能更高,六核版本至强5600的最低功耗为60W,四核版本至强5600的最低功耗只有40W。二是增强了智能节能技术,可以调节六个内核的能耗状态,性能功耗比更接近理想的线性状态。三是处理器内核的能耗管理算法进行了更新,可以让Turbo Boost睿频更高效,同时对内存的能耗管理做到更精细化。四是使用了DDR3低电压内存技术,预计内存能耗最多可减少10%,每条内存可降低2瓦特。
在虚拟化方面,至强5600主要增强了安全性方面的考虑,引入了AES-NI和Intel TXT技术,从而降低未来云计算时代虚拟化环境的安全风险。
2010年的机会在哪里?
根据Gartner的统计,去年由于受经济危机影响,全球大约有100万台服务器的升级计划受到延缓。2010年,随着经济形势转好,服务器更新带来了可观的市场机会。
顾凡表示,对于至强5500服务器用户来说,至强5600的最大好处就在于使用相同的平台,无须更换主板,只刷新BIOS,就可以进行升级,从而获得最高60%的性能提升。
另外,根据IDC在去年第三季度发布的统计数据,全球市场中仍然保有38%的单核服务器和42%的双核服务器。由于至强5600的性能是单核至强的15倍,更新服务器可以带来维护管理成本、空间成本、电力成本、软件许可证费用的极大节省,因此也有望引发新一轮的服务器更新换代潮。
顾凡谈到,如果利用至强5600来对这些单核产品进行15:1的整合,每年可以节省95%的电力支出,得益于电力、软件方面的成本节省,仅5个月就可以收回投资。如果实现1:1的替换,性能可以提高15倍,预计每年电力支出可以减少8%。
附:至强5500与至强5600规格对照表
英特尔至强5500与至强5600规格对照表 | |||
对比 |
至强5500 |
至强5600 | |
发布时间 |
2009年3月31日 |
2010年3月16日 | |
代号 |
Nehalem-EP |
Westmere-EP | |
制程工艺 |
45纳米 |
32纳米 | |
架构/芯片组 |
Intel 5520芯片组 |
Intel 5520芯片组 | |
内核/线程 |
4核(E5502 是双核) |
4核 |
6核 |
多线程 |
8线程 |
8线程 |
12线程 |
型号 |
8MB缓存、6.40 GT/秒QPI:W5590(3.33 GHz)、W5580(3.20 GHz)、X5570(2.93 GHz)、X5560(2.80 GHz)、X5550(2.66 GHz) 8MB缓存、5.86 GT/秒QPI:E5540(2.53 GHz)、E5530(2.40 GHz)、E5520(2.26 GHz)、L5530(2.40 GHz)、L5520(2.26 GHz) 4MB缓存、4.80 GT/秒QPI:E5506(2.13 GHz)、L5506(2.13 GHz)、E5504(2.00 GHz)、E5502(1.86 GHz) |
7款: L5609(1.86GHz) L5630(2.13GHz) E5620(2.4GHz) E5630(2.53GHz) E5640(2.66GHz) X5667(3.06GHz) X5677(3.46GHz) |
6款: W3680(3.33GHz) L5640(2.26GHz) X5650(2.66GHz) X5660(2.8GHz) X5670(2.93GHz) X5680(3.33GHz) |
主频 |
1.86GHz ~ 3.33GHz |
1.86-3.46GHz |
2.26-3.33GHz |
QPI数量 |
2 |
2 |
2 |
QPI速率 |
4.80 GT/秒,5.86 GT/秒,6.40 GT/秒 |
6.40 GT/秒 |
6.40 GT/秒 |
L2缓存 |
4 x 256 KB |
4 x 256 KB |
6 x 256 KB |
L3缓存 |
4MB/8MB共享 |
12MB共享 |
12MB共享 |
指令集/虚拟化 |
SSE,SSE2,SSE3,SSE4.2,Intel-VT,VT-d,Turbo Boost,Hyper-Threading |
L5609不支持超线程和睿频加速 |
全部支持Turbo Boost睿频加速技术 |
内存控制器 |
集成内存控制器 |
集成内存控制器 |
集成内存控制器 |
三通道DDR3 800/1066/1333MHz |
三通道DDR3 800/1066/1333MHz |
三通道DDR3 800/1066/1333MHz | |
TDP功耗 |
60W,80W,95W,130W |
40W,80W,95W,130W |
60W,95W,130W |
IT168服务器频道,2009年12月 |
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