Intel美光发布首款25nm闪存芯片

Intel和美光公司近日通过其IM Flash合资功能推出了最新的25nm闪存芯片，这是首款采用了高级25nm制程工艺的商用芯片产品。

芯片市场研究公司Objective Analysis在研究笔记中写道，这款新的64Gb（8Gb）MLC NAND闪存芯片成本比竞争对手的同类产品低很多。

一位Intel新闻发言人确认了这款新芯片并表示它主要是针对智能手机、固态硬盘和iPod等便携式媒体播放器。

Intel通过电子邮件表示：“目前我们正在生产用于生产环境的样品，预计将在第二季度提供。”

两家公司通过使用更先进的25nm技术领先于闪存行业的其他竞争对手。作为全球最大的闪存制造商，三星公司将从今年开始研发30nm技术并计划在2010年年底在大多数产品线中使用这项技术。

开发更加细微化的芯片制造技术对于满足用户需求具备丰富功能的小型设备来说非常重要。更先进的制造技术还可以让厂商提高芯片速度和降低能耗，另外降低长期成本，这对于消费用户来说是最重要的一个好处。

Objective Analysis预计，最新的25nm闪存芯片的制造成本大约为每GB 0.5美元，而目前主流的45nm闪存成本为每GB 1.75美元。Objective Analysis表示，闪存芯片的市场价格一直徘徊在每GB 2美元，而且到2010年有可能还将保持这一水平。

Intel和美光目前已经开始向客户提供芯片样本，这样他们可以开始在小型设备产品中采用这项设计。

在2008年5月，Intel和美光开始在他们的闪存芯片工厂中使用34nm技术，向25nm技术的跨越只用了一年半的时间。

上周五，三星在第四季度投资者大会上指出，市场对用于智能手机和其他设备中的嵌入式闪存产品有强劲的需求。三星认为，因为不少闪存芯片制造商受到经济危机的影响而一直无法建造新的工厂或者将陈旧的芯片生产线升级采用最新的制造技术，因为闪存的供应仍然是受到限制的。