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台积电:20nm量产一年后就是16nm

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台积电公司董事长兼首席执行官张忠谋在18日的投资者会议上表示,台积电16nm工艺一年内量产,台积电并且已经提升20nm工艺产能。张忠谋表示,台积电已经在2013第一季度风险生产20nm产品。为16nm FinFET工艺节在年底开始风险生产进行准备。

作者:驱动之家 来源:驱动人生 2013年4月19日

关键字: 台积电

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ZDNet至顶网服务器频道 04月19日 新闻消息: 台积电公司董事长兼首席执行官张忠谋在18日的投资者会议上表示,台积电16nm工艺一年内量产,台积电并且已经提升20nm工艺产能。

张忠谋表示,台积电已经在2013第一季度风险生产20nm产品。为16nm FinFET工艺节在年底开始风险生产进行准备。同时,台积电已向上修正其2013年资本支出到95亿-100亿美元,之前设定的资本支出在90亿美元。

此外,张忠谋重申,2013年台积电28nm芯片生产和收入将比2012年翻三番,28nm工艺将继续发挥作用,成为台积电收入增长主要驱动力,并且,台积电今年在28nm芯片代工市场份额继续走高。

台积电2013第一季度财报好于上季度,销售额和净利润上涨25.7%和18.2%,公司首席财务官Lora Ho认为有利的汇率,移动产品芯片需求和成熟的28nm工艺,都让台积电一季度财报提振。

张忠谋:台积电16nm工艺一年内量产

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