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尔必达宣布业界最小40nm 2Gb DDR3颗粒

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在推出了业界首个2Gb DDR2内存颗粒后,尔必达近日又宣布了号称是业界最小的40nm 2Gb DDR3 SDRAM内存颗粒,相比先前的50nm制程工艺,每片晶圆的产量提高了44%,1.6Gbps数据传输率下的产量率更是达到了100%。

来源:驱动之家 2009年10月9日

关键字: 芯片

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  在推出了业界首个2Gb DDR2内存颗粒后,尔必达近日又宣布了号称是业界最小的40nm 2Gb DDR3 SDRAM内存颗粒,相比先前的50nm制程工艺,每片晶圆的产量提高了44%,1.6Gbps数据传输率下的产量率更是达到了100%。

  新40nm 2Gb DDR3内存和50nm产品相比,驱动电流是后者的2/3,支持1.2V、1.35V低压工作,也同样支持标准1.5V DDR3工作电压,功耗降低45%。据尔必达介绍,从50nm向40nm转换的成本几乎为零,从65nm向40nm工艺的转换成本也可控制在理想的范围之内。

  尔必达还在开发65nm XS制程技术,并称该技术产品可以和50nm工艺产品相提并论。除此之外,尔必达还在研发能够使用65nm工艺制造出更小的芯片产品的技术。

  尔必达将于11月推出基于该颗粒的样品颗粒,年底实现量产。

  

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