Rambus将在9月IDF大会展示最快XDR2内存

Rambus近日公开表示将在9月召开的Intel IDF大会上展示目前速度最快的XDR2内存。

这次展示的设备组件是加载在像显卡这样的板卡上，集成了TSMC采用40nm制程工艺的“Bi-Modal XIO 1/2”和尔必达1Gb XDR DRAM内存芯片。

Rambus战略开发总监Michael Chin

展示的XDR系统

Rambus战略开发总监Michael Chin表示：“只要看看XDR/XDR2所能覆盖的领域，你就可以了解到它发挥性能优势的广泛性。”

● DDR3和XDR2的搭配

当召开的发布会还介绍了DDR3以后面向主内存的技术搭配和，XDR/XDR2的技术点。

Rambus代表董事Eric

Rambus代表董事Eric首先介绍道，Rambus创建于90年，97年在纳斯达克上市，2009的销售额达到5400万美元，员工总数达到330人。他说：“虽然我们的规模还不是那么大，但是在市场上已经有相当大的影响力。”

他解释了以技术开发、针对关键用户的专利和解决方案为核心的业务模式。

Rambus的业务模式

市场重点

接下来，Chin以《超越DDR3》为题阐述了未来专注于加强SE信号技术、满足计算应用对内存系统需求的创新策略。

在计算处理方面的趋势将主要是多核化、CPU与GPU的集成、降低能耗。在这种情况下，2011年主存储的要求将是数据传输率在1600～3200Mbps，处理器在活动状态下的功耗为7w以下，空闲状态下功耗在0.8w以下。

Rambus采用了Mobile Memory Initiative以及一些像FlexPhase和Microthreading等强化技术来实现3200Mbps的数据传输率。Near Ground Signaling、FlexClocking以及Module Threading技术结合使用时，能使内存系统总功耗减少40%以上。模块线程化技术和动态点对点技术可使吞吐量提高50%，2011年以后内存容量将提高2～4倍。

下一代主内存的规格

通常情况下内存的功耗

由于采用Near Ground Signaling等技术而降低了功耗

整个存储系统的电力消耗降低40%

模块线程化技术缩短了内存响应时间，提高了吞吐量

动态点对点技术可增加每个通道支持组件的数量

根据以上结果，以后DDR3的数据传输率将达到3200Mbps

Chin还解释了下一代主存储技术以及XDR/XDR2存储器架构。据称XDR内存架构提供了目前最快的速度、出色的能源效率和性能水平。

XDI内存架构在能源效率方面，其功耗是传统GDDR5控制器的1/3，在相同功耗下带宽最多可以高出GDDR5控制器2倍，而内存系统功耗减少40%。在性能方面，XDR可以实现3.2～7.2Gbps的数据传输率，XDR2甚至可以达到10Gbps以上。另外，XIO记忆体控制器的双型态运作可支持XDR DRAM及新一代XDR2 DRAM，使迁移变得更容易。此外Chin还提到了Terabyte Bandwith Initiative技术所带来的好处。

目前XDR2技术还处于开发阶段，还没有哪家厂商获得了这项技术的许可。

XDR具有出色的电力效率

XDR与XDR2之间在性能和可扩展性方面的巨大差距

XDR2架构采用了Terabyte Bandwidth Initiative中开发的重要创新技术

XDR/XDR2内存是目前世界上速度最快的内存，具有出色的能源效率