扫一扫
分享文章到微信
扫一扫
关注官方公众号
至顶头条
赛迪网讯 6月26日消息，世界顶级芯片制造商三星电子与Hynix周三宣布，将联手发展下一代半导体芯片。
据国外媒体报道，三星与Hynix表示，双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机存储器(STT-MRAM)芯片的研发工作，并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准。
三星与Hynix表示，研发工作将于8月份开始着手实施。
三星与Hynix预计，全球新一代芯片市场将在2012年左右趋于成熟。
作者：李远
如果您非常迫切的想了解IT领域最新产品与技术信息，那么订阅至顶网技术邮件将是您的最佳途径之一。
京公网安备 11010802021500号