英特尔和美光公布32Gb闪存芯片

　　英特尔、美光公布32Gb闪存芯片

　　5月30日消息，英特尔和美光科技（Micron Technology）本周四公布了联合开发的34纳米、32Gb的NAND闪存芯片。这款芯片将催生廉价的大容量固态硬盘。

　　新款闪存芯片将利用300毫米晶圆片制造。英特尔的官员称，这也是当前最先进的闪存芯片制造工艺，它将为廉价的大容量固态硬盘的问世奠定基础。

　　英特尔和美光将于6月份交付样品，批量生产则需要等到今年下半年。

　　据英特尔称，一个采用其新的NAND闪存设计的32Gb芯片能够存储2000张高分辨率照片或1000首MP3歌曲。

　　英特尔NAND产品集团的营销主管彼得（Pete Hanzen）表示，该公司计划在未来的产品中使用新款芯片，但没有披露详细资料。英特尔3月份证实了将于2008年年中推出1.8和2.5英寸固态硬盘的计划。

　　分析人士预计，随着价格下滑，固态硬盘在企业中的普及将在未来数月内加速。尽管与传统硬盘相比有能耗和数据读写速度的优势，但固态硬盘的可靠性受到了质疑。