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美光新加坡厂年底率先导入40nm工艺

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据报道,美光计划于年底在其新加坡的12寸晶圆厂量产采用40nm制程工艺的产品。美光认为,在2012转向4F2技术之前,40nm制程工艺结合6F2技术的应用将会使得40nm成为2011年公司的核心处理工艺。

来源:驱动之家 2009年8月19日

关键字: DRAM

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  据报道,美光计划于年底在其新加坡的12寸晶圆厂量产采用40nm制程工艺的产品。美光认为,在2012转向4F2技术之前,40nm制程工艺结合6F2技术的应用将会使得40nm成为2011年公司的核心处理工艺。

  50nm和40nm制程工艺使得美光的整体生产成本降低了50%和80%,使用50纳米制程工艺,预计每生产1000片晶圆,美光的月生产成本约为1200万美元,但使用40纳米制程6F2技术后,同样生产1000片晶圆,月成本只需要400万美元,而转用40纳米制程4F2技术后,月成本可再下降至200万美元。

  随着位于美国麻州Virginia厂的产量率的大幅度攀升,美光还打算在2010年采用50nm制程工艺量产DRAM芯片,尽管有市场分析认为由于厂商加速生产导致DRAM市场将出现供大于求的局面,美光仍就对全球的内存市场持积极态度。

  美光认为DRAM市场的总体产能不会增加太多,因为很多芯片制造商在设备购买和升级方面遇到了资金问题。

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