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至顶网服务器频道服务器组件2017年ARM技术大会上的十九个精彩瞬间

2017年ARM技术大会上的十九个精彩瞬间

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ARM公司除了在其年度大会上进一步推动软件与安全性发展之外,还加入了从顶级代工厂谈判到不同客户系统芯片演示的各类硬件展示环节。

作者:李超 来源:至顶网服务器频道 【编译】 2017年10月31日

关键字:技术大会 ARM

ARM公司除了在其年度大会上进一步推动软件与安全性发展之外,还加入了从顶级代工厂谈判到不同客户系统芯片演示的各类硬件展示环节。

ARM显然需要将其免费Mbed软件不断撒向处理器IP产品组合的各个层面,并最终扩展至整个庞大则安全的市场体系当中。作为额外甜点,其希望能够依靠有偿服务业务未来通过物联网安全补丁发布与其它更新实现更多盈利。

坦白地讲,公司高管们也都承认,Mbed在垂直市场上仍然缺乏客户的广泛参与。因此,该公司在此次大会中作出引导性倾斜也完全在情理之中。

在芯片方面,ARM公司已经是一位老手。Greg Yeric在本届大会的闭幕式上作出了令人印象深刻的转型声明——这既是个好消息,也是个坏消息。

传统半导体体积缩小能力可能在未来6到8年内走到尽头,而作为最后的光荣,2纳米节点将通过高数值极紫外线蚀刻技术实现。但在到达这一目标之前,DRAM恐怕已经陷入瓶颈——这可谓是“最可怕”的前景。然而在另一方面,尽管尚未成为人们的真正关注重点,但打包与材料方面的研究仍然拥有更加光明的未来。

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Yeric指出,未来的芯片将采用四种3D构建方式。

Yeric 解释称,“我们都知道,巨大的变化即将来临,而我们则拥有很多选择……我们意识到,未来我们可能需要接受一些非常奇怪的技术成果……很多酷炫的技术已经超出了MOSFET或者冯-诺伊曼计算机的范畴。”

在不久的将来,设备可以最多采用四种3D技术,从而将封装、晶片乃至晶体管等进行全面堆叠。然而,他指出“这种3DIC方案会毁掉我们的常规设计工具。”

从长远角度来看,大量新型材料的涌现预示着更大的变化。他表示,最近一个月内就有十几项这样的新闻出现。其中包括利用拥有新型电子特性的2D半导体材料实现提升,即斯坦福大学创新性地运用碳纳米管晶体管与新兴纳米工程技术打造的超导材料构建系统芯片。

这一切新技术的出现,都将让芯片制造商不得不“离开自己的安全港……而任何制造商都还没有为这一切做好准备。但这一领域已经非常活跃……我们可以肯定的是,凭借着当前物理与化学层面的材料发展速度,未来的系统缩小空间将远远超出我们的想象。”

ARM公司宣布将扩大与英特尔之间在的代工业务合作伙伴关系,旨在构建专为x86大型22纳米FinFET节点定制的知识产权。这也是处理器领域竞争对手之间竞合关系的一大绝佳范例。

ARM公司将提供知识产权,为中端智能手机提供Cortex-A55处理器——其利用所谓22FFL制程提供高达2.35 GHz主频或最低0.45伏工作电压。ARM公司也已经开始帮助英特尔测试后者计划在今年年底前推出的旗舰级10纳米制程工艺,即在下一代Cortex-A系统芯片中提供3.5 GHz主频或0.5伏工作电压,并提供每MHz 0.25毫瓦功率水平。

英特尔公司的一位高管人员在今年9月于北京的一场大会上首次公布了其发展路线图,且以远超以往的详尽方式介绍了其代工与知识产权发展计划。观察人士表示,如此坦白的沟通态度对英特尔来说非常罕见,但其中的关键在于芯片巨头计划立足自身文化建立代工业务,从而在未来的激烈竞争中继续生存下去。

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英特公司布旗舰级10米制程工及其后展路线图实现时间表。片来源:英特

英特尔公司为其22FFL节点规划了三项后续解决方案,据称相较于28纳米节点,该节点将可把漏电水平降低至百分之一,性能提升30%,而面积则缩小20%。

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英特公司概述了其22米代工制程的展路线图时间表,以及未来两款后续节点。片来源:英特

英特尔公司正在加紧与台积电等基础知识产权持有方的竞争,从而对抗掌握着自有基础单元及合作伙伴的台积电势力。

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英特尔公司公布代工服务细节信息。(图片来源:英特尔)

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片来源:三星

三星公司的FinFET发展路线图(如上所示)看起来像是份倒计时表,只是数字9存在缺失。该公司大胆地宣称,其PDK为7纳米工艺,而EUV已经准备就绪,整套制程方案将于2018年推出。另外,三星公司将在2020年全面开启4纳米时代。

当然,群众基础也绝涌落下。三星公司表示其将与Globalfoundries合作,利用嵌入式MRAM与RF能力构建FD-SOI。而且与台积电方面一样,三星公司同样强调称其拥有一套完整的芯片堆叠技术体系(如下图所示)。

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在接受采访时,ARM公司CTO Mike Muller表示随着越来越多项目开始将RISC-V核心纳入生产,相关风险也在稳步下降。

他表示,“开源软件已经被事实证明极为成功,人们都能够为其代码库作出贡献。但是对于CPU而言,大家仍然无法在不变更提取管道的前提下变更注册文件,因此让大家参与到贡献当中明显更加困难。”

他补充称,“最终,我们需要一套类似于红帽的发行版维护模式,而这还需要大量的投资作为支持。但这并不是说我们的产品会卖得很贵。只需要几千美元,您就能从ARM这里买到一个低端MCU核心。包含1亿个晶体管的核心则更贵一些,您可能需要为其支付数百万美元——但许可费用还不是成本的大头。软件、应用以及平台才是其中的主体,系统芯片成本相比之下微不足道。”

在主题演讲当中,他谈到了一款能够追踪脚踝肿胀问题并借此判断心脏病发作问题的摄像头传感器(如下图所示)。这是机器学习技术兴起的一大实例,同时也正是ARM公司打算进军的产品领域。

他指出,这款原型传感器采用现成组件打造而成,即“移动电话技术革命的副产品”。正因为如此,物联网将凭借着数十亿台设备带来真正的变革。两个人在车库当中,即可利用现有资源组合出真正有效的产品。

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Muller在他的演讲中高度关注物联网与AI

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作为ARM此前的探索方式,ARM架构服务器方案在今年的大会上已经销声匿迹。Cavium与高通才是这一领域的王者,但这已经不是ARM公司的关注重点。

在本次展会上,我所看到的惟一一款数据中心系统芯片就只有Marvell公司的Armada 8K。这款集成系统芯片用于高端路由器,其整合4块2 GHz A72处理器,双10GE MAC以及其它用于数据包处理的组件。明年的版本则将包含8到32个核心。

Marvell公司高级应用工程师Joseph Yau(如上图所示)展示了一款集群化六Armada单片参考设计,其通过以太网为电信数据中心运行OPNFV软件。

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Orbbec公司联合创始人David Chen(上图)展示了与英特尔Real Sense等竞争对手相匹敌的深度相机。其智能手机版本已经被集成于中国Oppo与LYF手机当中。其运行功率最高为700毫瓦,能够处理0.2到1.5米景深。

面向机器人及其它产品(如下图所示)的版本功率为1.8瓦,景深区间为0.6到5米。二者皆利用ASIC以控制IR与RGB相机,而后计算并通过MIPI或USB接口向主机输出深度数据。

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StretchSense公司现场应用工程师Jerrine Wong则展示了一款在塑料基板上加入十个运动传感器的手套。该公司拥有传感器制造与粘接工艺专利,能够以3.8皮法/毫米密度检测到最低0.1毫米水平的动作。该手套可水洗,且属于AR/VR系统类产品用例演示。

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Quicklogic公司展示了其EOS S3参考单板(如上图所示)。该芯片以对角线方式安装在手机大小的基板上,可通过硬件方式运行Sensory语音检测算法,且功耗仅为100微瓦。其它竞争对手,包括DSP+BT芯片,则需要10毫瓦才能实现相同的效果。

Renesas公司则展示了一套基于其RZN1新型参考单片的工业物联网网关设计方案(如下图所示)。此款芯片采用-A与-M级ARM核心,因此能够同时运行RTOS与Linux。另外,其还支持五种工业以太网端口。

2017年ARM技术大会上的十九个精彩瞬间

 

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ARM公司展示了少数使用其Mbed软件的产品。其中包括来自PNI传感器公司(如上图所示)且可监控停车场的LoRa型定位器,一款通用电气智能路灯(如下图所示)以及一组蓝牙信标(无相关图片)。

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