尔必达完成最先进25nm DDR3内存制造技术

日本尔必达今天宣布，已经采用业界最先进的25nm CMOS工艺制造出了2Gb(也就是128MB)容量的DDR3 SDRAM内存颗粒。

尔必达宣称这种2Gb DDR3内存颗粒的芯片面积是全球最小的，但没有公布具体数字。该芯片数据带宽x4-bit/x8-bit，数据传输率可达1866.6Mbps或更高(也就是工作频率1866+MHz)，工作温度范围0-95℃，供电电压1.5V或者1.35V，可以做成高性能DDR3-1866或者低电压DDR3L-1600内存条。

相比于之前的30nm工艺，尔必达新开发的25nm工艺每个比特所需要的存储单元空间减少了30％，整个晶圆的芯片切割数量也因此增加了30％。

此外通过15％的操作电流节省、20％的待机电流节省，尔必达的25nm工艺还能有效降低内存功耗，为节能环保做出贡献。

尔必达将于今年七月份开始批量投产这种25nm 2Gb DDR3 SDRAM内存颗粒，并计划在今年年底量产4Gb大容量型号，晶圆产能可大幅增加44％，此外新工艺还会用于移动型的Mobile RAM。