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【搜狐IT消息】(文/芳草地)6月30日,据外电报道,NAND Flash(闪存)制造厂制程技术持续不断推进,集邦科技表示,各Flash制造厂自今年第四季起将陆续转进30纳米制程技术。
根据美光预估,今年全球NAND Flash市场可望增长至254亿美元规模,除了目前一般数字影音播放器、UFD(通用串行总线闪存储存驱动器)、记忆卡等应用外,也相当看好移动储存市场的发展潜力。
为降低生产成本,强化竞争力,NAND Flash制造厂持续不断进行制程技术微缩,其中IM Flash阵营已宣示,34纳米制程技术将于今年第四季投产。韩国三星电子则预计,明年下半年制程技术将由42纳米推进至30纳米时代。
Toshiba与SanDisk阵营同样预计,明年下半年由43纳米提升至30纳米时代制程技术;Hynix与Numonyx阵营则将于明年上半年由48那么提升到41纳米制程技术。
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