台湾集成电路宣布试产32纳米制程

    ZDNetChina服务器站 12月13日服务器芯片/组件讯  台湾集成电路(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company，TSMC)于美国华盛顿特区(Washington D.C.)举行的国际电子组件大会(International Electron Devices Meeting，IEDM)中发表论文，宣布开发出专业集成电路制造服务领域第一个同时支持模拟及数字集成电路的32纳米制程技术。

　　此篇论文中同时指出，台湾集成电路已经成功试产出晶体管位单元(bit cell)尺寸最小的2Mb 32纳米静态随机存取内存(SRAM)，并且通过功能验证。台积电此一32纳米制程将提供低耗电量及高密度内存最佳化的竞争优势，并具备多种内存组件尺寸供客户选择，充分满足客户在产品性能及效率最佳化的考虑。

　　此一低耗电量制程具备低待机耗电量晶体管、模拟及射频功能、铜导线以及低介电系数(low-k)材料导线等特点，适合用于生产可携式产品所需的系统单芯片。针对客户多样不同的市场应用需求，台积电未来将提供多样完整的32纳米制程，包括数字、模拟、射频以及高密度内存等制程。

　　此外，台湾集成电路32纳米制程是第一个无须采用高介电系数(high-k)材料及金属闸极(metal gate)，就可以达到设定的晶体管效能规格。此一尺寸仅0.15平方微米的高密度SRAM是采用193纳米浸润式(immersion lithography)双重曝影(double patterning)所达成。