江波龙：建设完成mSSD月产能百万交付能力！mSSD高速存储介质赋能端侧AI规模应用

2026年6月30日，江波龙mSSD高速存储介质产能迎来重要里程碑，公司宣布已建设完成mSSD月产能百万级交付能力，具备稳定且规模化量产交付条件，可充分匹配市场增量需求，后续产能仍具备持续扩容、翻倍释放的空间。

江波龙精准把握当下存储市场应用趋势，快速迭代传统产品设计理念，创新推出适配AI多样化应用场景需求的mSSD高速存储介质，产品综合竞争力获得了市场广泛认可。依托苏州封测制造基地成熟的SiP系统级集成存储方案技术与产业化体系，公司已全面具备mSSD高速存储介质自主封测、规模化量产与稳定交付的核心能力。

2025年10 月，江波龙mSSD首批样品在苏州封测制造基地成功下线，正式开启产业化落地进程。面向当下端侧AI存储市场需求，江波龙依托SiP集成封装技术创新迭代传统存储形态，产品在性能、品质、功能方面的综合表现，已在客户端实际应用中得到充分验证。2026年6月，公司顺利完成产线打磨、工艺优化与产能爬坡，成功建成月产能百万级的稳定交付能力，目前已与联想、华硕等行业知名客户展开深度合作。

相较于PCBA板级组装方案，江波龙mSSD基于传统SSD技术体系完成进阶迭代与升级突破，创新采用SiP系统级集成封装技术，将主控芯片、闪存芯片、电源管理芯片及各类被动元器件高度集成于单一封装体内，把焊点减少至0个，从而跳出传统BGA颗粒+PCB贴片的固有制造框架，突破常规贴片组装带来的空间、布线与堆叠上限，从封装架构层面革新存储产品生产模式，实现了芯片晶圆到终端产品“Office is Factory”模式。

PCIe Gen4、Gen5两代mSSD高速存储介质均搭载联芸科技主控芯片。针对不同的性能、功耗差异与发热特性，江波龙创新定制了专属散热架构与材料方案，从而解决在集成封装下的积热降频、性能衰减难题，大幅提升峰值性能持续输出能力。

PCIe Gen4 mSSD单盘容量提供256GB~4TB选择，顺序读写可达7400MB/s、6500MB/s，4K随机读写可达1000K IOPS、820K IOPS，可实现121秒稳定峰值性能输出。产品采用高导热铝合金支架搭配石墨烯贴片与强导热硅胶的复合散热方案，依托多重导热介质协同作用，快速疏导核心热量，避免局部积热堆积，有效延缓高负载运行下的发热积热进程。同时，mSSD兼容OTG功能，可丰富外接拓展场景，适配更多端侧设备使用需求；并支持Opal、Pyrite、SM4等通用加密协议，有效保障端侧本地数据与隐私安全。

PCIe Gen5 mSSD在性能和容量上带来了全面升级。其顺序读写性能最高可达11GB/s、10GB/s，随机读写性能最高可达2200K、1800K IOPS，单盘容量最高支持8TB。针对传输速率更快、功耗密度更高、发热压力更大的PCIe Gen5高速版本，产品率先应用VC相变液冷散热方案，集成均热器、TIM1导热胶、石墨烯散热片、VC均热板、铝合金散热拓展卡等多重散热组件，构建全域立体散热体系，大幅提升芯片热量传导与散出效率，可实现超过181秒峰值性能长效输出，连续读取超1991GB，峰值性能持续时间较Gen4版本提升约1.5倍，从容应对高速传输带来的高强度热负荷。

这套创新的散热设计，兼顾了mSSD轻薄集成的形态优势，显著拉长高性能输出时长。

常规SSD生产流程复杂，闪存颗粒、主控芯片、电源管理芯片等，需分别在不同工厂完成封装与测试，再转运至SMT工厂贴片组装并重复检测。整个链路工序多、周期长、成本高，容易造成量产库存积压，生产灵活性不足。依托SiP系统级集成封装方案，mSSD省去多道封装、测试与焊接工序，大幅缩短生产周期、降低生产成本，并减少库存压力。在相同物理尺寸下，该方案还优化了内部空间利用率，进一步提升单位空间存储密度；电气性能与可靠性也得到显著提升，从PCBA质量等级提升至芯片封装质量等级（DPPM≤100）。

凭借封装架构的底层优势，这套SiP集成方案可兼容 PCIe Gen4、Gen5、未来Gen6多代高速规格，同步覆盖消费级、工业级、车规级多可靠性标准产品开发能力，实现跨等级柔性量产，减少产线换型与物料管控成本，支撑产品快速迭代落地，也是 mSSD 能够高效衍生消费级、行业级多形态产品的重要技术支撑。

聚焦端侧AI应用需求， 江波龙于2026年3月集中完成多项核心硬件与技术布局。在芯片布局上，公司推出自研SPU™存储处理单元，该芯片采用5nm制程工艺，搭载存内无损压缩技术，可在不损耗数据完整性的前提下高效压缩存储数据，平均压缩比超过2:1，大幅节省mSSD容量，有效降低终端整体硬件成本。

同时在配套软件技术层面，公司已推出iSA™存储智能体、HLCache™高级缓存技术，与SPU硬件形成软硬协同赋能。其中，iSA™存储智能体可实现存储与算力芯片平台的智能联动调度，有效提升端侧AI任务的效率与响应速度；HLCache™高级缓存技术依托主控芯片、固件及系统级架构的全方位创新，让mSSD承接原本由DRAM缓存承载的温冷数据，在保障终端设备流畅运行体验的前提下，有效降低设备DRAM内存占用，帮助客户优化整机BOM成本。

未来，通过软硬件协同应用，mSSD有望在读写性能、容量利用率、成本控制、智能调度等多维度实现全方位升级，同时凭借存储介质灵活拓展的特性，可衍生出多类型存储形态，适配AI PC、AI BOX等各类AI终端设备与细分应用场景。在此基础上，相关方案将在旗下行业类、消费类存储品牌全面落地布局，并同步推动PCIe Gen5 mSSD全平台生态适配建设，以此加速方案在端侧AI等高附加值场景规模化商用落地，通过持续落地丰富行业应用案例，进一步深挖SiP集成封装存储介质的产业化价值。