ZD至顶网服务器频道 02月08日 新闻消息: 英特尔公司在本届国际固态电路会议(简称ISSCC)上通过其Stratix X FPGA论文详细介绍了2.5D封装的低成本替代方案。亦在此次会议上,AMD公司则公布其Zen x86处理器——其体积较英特尔最新14纳米芯片小10%。
Stratix X采用英特尔的嵌入式多晶片互连桥接(简称EMIB)技术,用于将该FPGA同四个外部收发器相对接。该连接桥由安装在BGA底层的硅晶片制成,且明显小于台积电开发且已经被Xilinx与英伟达使用的CoWoS工艺硅底层。
EMIB采用55微美微凸块配合100微米翻转芯片块以支持最高24条96 I/O收发器通道。其能够利用专有协议在每晶片1.2 pJ每bit的条件下提供每针脚每秒2 Gbit传输能力。
EMIB采用小间距过孔与翻转芯片互连,而非通孔型互连
目前,该桥接芯片能够将4个28 GHz串口接入该FPGA。根据英特尔公司工程师David Greenhill在ISSCC上发表的论文来看,芯片巨头还在发展路线图中纳入了进一步提速计划。
这项封装技术引发了与会者的积极讨论。面对Xilinx公司工程师提出的问题,Greenhill表示英特尔开发团队目前还没有计划将该设计迁移至56G串行设备当中。
英特尔公司早在两年前就公布了这项技术,并将其引入自家代工服务。截至目前,还没有其他用户使用EMIB。14纳米Stratix X能够将280万个逻辑元件封装在一套以千兆赫兹运行的560平方毫米结构当中。
桥接芯片支持并转换专有EMIB协议
AMD公司展示的Zen处理器较英特尔目前的14纳米x86核心更为紧凑
在另一篇论文中,AMD公司表示其即将推出的Zen x86核心较英特尔当前发布的第二代14纳米处理器小10%。分析师甚至英特尔公司的工程师们在会上表示,Zen核心显然拥有相当强劲的效力,但大量尚未公开的保密信息导致我们还无法确定AMD公司能否以更低成本销售这款产品。
论文详细介绍了AMD用于将开关电容进一步缩减15%的具体技术。例如Zen标志性地首次使用金属-绝缘体-金属的电容设计方案,这有助于降低其工作电压并提供更高的核心电压与频率控制能力。
工程师们一年来每周都会追踪高活跃度区域的电源基准,旨在进一步减少开关电容数量。目前其采用的是两套八核心设计,可以多线程方式运行于3.4 GHz主频水平。
另外,Mediatek公司亦在大会上公布了其10纳米制程工艺的十核心智能手机系统芯片。
此芯片采用新的三ARM Cortex A-35核心群组以处理低功耗任务,包括视频与MP3播放。工程师们还设计出一种新型程序计数器,其嵌入于每个核心内以简化芯片的调试流程。
市场观察企业Tirias Research公司的Kevin Krewell表示,该项目表现出扎实的设计水平。不过他同时指出,要想获得成功,这款芯片还必须在更为广泛的定制化图形芯片、成像及其它任务处理领域与竞争对手高通的骁龙835进行正面对抗。
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