韩国携手三星和SK海力士启动5840亿美元芯片制造计划

韩国政府宣布启动900万亿韩元(约5840亿美元)的芯片制造扩产计划,由三星电子和SK海力士主导,各自新建两座晶圆厂,选址于韩国西南部。三星拟落户光州市,SK海力士仍在选址中。新工厂将主要用于内存芯片生产,涵盖DRAM、闪存及HBM。此外,韩国还计划到2035年投资逾1000万亿韩元建设AI数据中心,目标新增18.4吉瓦算力。

韩国政府今日宣布一项总额达900万亿韩元(约合5840亿美元)的芯片制造能力提升计划,同时还计划建设规模约达3570亿美元的人工智能数据中心。

此次芯片制造计划将由三星电子和SK海力士主导推进,两家公司各计划新建两座晶圆厂。目前,韩国大多数半导体生产基础设施集中在首尔附近,而此次新建的三星和SK海力士工厂将落户韩国西南地区。

三星方面表示,公司极有可能在距首尔约四小时车程的西南城市光州建厂。SK海力士目前仍在选址阶段,公司董事长崔泰源今日表示,建设目前旗舰制造园区耗时长达九年。

新建晶圆厂的相当大一部分产能预计将用于内存生产。三星和SK海力士是全球最大的两家内存制造商,三星在DRAM和闪存领域占据领先地位,而SK海力士则掌握全球逾半数的高带宽内存(HBM)产能。HBM是一种高速内存,被广泛应用于AI芯片中。

新建晶圆厂将混合采用先进制程与成熟制程。这是因为内存芯片的基本构成单元——内存单元中包含一种名为电容器的微型储能器件,而内存级电容器只能通过成熟制程制造,将其尺寸缩小至10纳米以下会引发技术问题。

HBM芯片不仅包含内存单元,还包含一个用于协调数据流传输的逻辑芯片,该芯片同时承担纠错等相关功能。与电容器不同,逻辑芯片通常采用尖端制程生产。

SK海力士专注于内存生产,三星则同时涉足处理器制造业务。三星于去年12月推出首款2纳米制程处理器Exynos 2600,这是一款移动系统级芯片,集成了中央处理器、AI加速器和后量子密码学模块。

在资金投入方面,三星和SK海力士将共同出资800万亿韩元用于韩国芯片制造建设。三星计划建厂所在地光州市及全罗南道将额外出资最高20万亿韩元。此外,业界还计划投入81万亿韩元,用于升级韩国中部地区的芯片封装基础设施。

与此同时,政府官员还宣布计划在2035年前向AI数据中心投资超过1000万亿韩元,目标是新增18.4吉瓦的算力。SK海力士母公司SK集团也将参与这一计划。

Q&A

Q1:韩国此次芯片制造计划的总投资规模有多大?

A:韩国政府此次宣布的芯片制造计划总额达900万亿韩元,约合5840亿美元,由三星电子和SK海力士主导推进,两家公司将共同出资800万亿韩元,另有地方政府和产业界配套资金支持。

Q2:三星和SK海力士新建晶圆厂主要生产哪类芯片?

A:新建晶圆厂的相当大一部分产能将用于内存生产,涵盖DRAM、闪存及HBM(高带宽内存)。其中SK海力士在HBM领域占全球一半以上产能,HBM是目前AI芯片的重要组成部分。晶圆厂将混合采用先进制程与成熟制程,以满足不同类型芯片的制造需求。

Q3:韩国AI数据中心建设计划的具体目标是什么?

A:韩国政府计划在2035年前向AI数据中心投资超过1000万亿韩元,目标是新增18.4吉瓦的算力规模。SK海力士的母公司SK集团将参与该计划,这也是韩国推动AI基础设施建设的重要组成部分。

来源:SiliconANGLE

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2026

06/30

13:05

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